Образовательный портал Claw.ru
Всё для учебы, работы и отдыха
» Шпаргалки, рефераты, курсовые
» Сочинения и изложения
» Конспекты и лекции
» Энциклопедии

2

Общий балл

26

28

30

33

32

32

26

23

26

Место

4

3

2

1

1

1

4

5

4

Условные обозначения к табл. 5.

I

Контакт с зазором

II

1/1 УФ-сканер

III

4/1 УФ-сканер/степпер

IV

5/1 УФ-степпер

V

10/1 УФ-степпер

VI

Электронный луч

VII

Рентгеновское излучение

VIII

Ионный луч

IX

Электронный пучек с зазором

Ключем к высокопроизводительной литографии являются высококачественные стойкие шаблоны, которые способны выдерживать термические и механические напряжения. Выбор вида излучения (широкие пучки УФ-излучения, рентгеновского излучения, электронов или ионов) для экспонирования через шаблон, зависит в основном от трех факторов:

1) может ли быть изготовлена маска с резкостью края лучше чем 1/10 воспроизводимого размера;

2) обеспечивается ли достаточная плоскостность шаблона и сохраняются ли она, а также рисунок неизменными во время экспонирования:

3) может ли быть разработана такая схема совмещения, в которой различались бы длины волн экспонирования и совмещения.

Техника изготовления шаблонов даст толчек развитию новых резистов и процессов.

Уменьшение глубины фокуса в оптической литографии требует применения более плоских пластин, автофокусировки и автосовмещения. Для уменьшения ошибок совмещения и фокусировки необходимо применять низкотемпературные процессы, в которых меньше коробление пластин, и планировать конструкцию изготовляемых приборов. Для субмикронной литографии необходимо последовательное совмещение от кристалла к кристаллу. Установки, в которых совмещены принципы сканирования и пошагового экспонирования, будут развиваться исходя из требования на совмещение.


Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: где диплом, курсовик.


Категории:




Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 |


Поделитесь этой записью или добавьте в закладки

   



Рефераты от А до Я


Полезные заметки

  •