Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13



Основными проблемами оптического и ионно-лучевого экспонирования Si-пластин являются многослойные резисты.

Величина К=0.3 в случае записи рисунка в верхний поверхностный слой, 0.5- в верхний промежуточный слой (многослойные резисты), 0.8- во всей толщине однослойной резистной пленки. Основные направления увеличения разрешения заключается в уменьшении толщины чувствительного слоя, по крайней мере, до четверти величины минимального требуемого размера (разрешения).

Производительность любого экспонирующего оборудования лимитирована интенсивностью источника и чувствительностью резиста. При оптическом экспонировании, исключая ДУФ-диапазон, эти величины соответствуют друг другу. Для электронно- и ионно-лучевого экспонирования желательно повысить чувствительность. Особенно это относится к новолачным резистам. Для рентгеновского экспонирования требуются хорошие однослойные пленки резиста, чтобы реализовать возможности получения высокого разрешения и устранить низкую производительность. С помощью рентгеновского экспонирования можно также избежать дополнительных затрат, связанных с внедрением многослойных резистов, требуемых в будущем для оптической и электронно-лучевой литографии.
Скачали данный реферат: Aglaida, Букирь, Sedel'nikov, Sadovskij, Фессалоникия, Нефёд.
Последние просмотренные рефераты на тему: диплом управление предприятием, шпори на телефон, документ реферат, виды шпаргалок.

Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13