Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12



[pic] (1.50)
Поскольку ?0(T) слабо зависит от температуры в оценочных расчетах принимают предэкспонциальный множитель постоянным равным значению электропроводности при T>?. Формула (1.50) хорошо описывает экспериментальную кривую электропроводности для чистых кристаллов с совершенной структурой (см. рис. 1.1. ) и из экспериментальной зависимости используя соотношение (1.50) можно определить такие характеристические параметры материала как Eg и ?0.
Легированный полупроводник.

Для легированного кристалла можно выделить несколько температурных областей как для изменения с температурой концентрации (см. п.п.
1.2.4 рис. 1.16 ), так и для изменения с температурой подвижности носителей заряда (см п.п. 1.2.5 рис. 1.21). При этом в области, где доминирует примесная приводимость ni(T)n и соответственно будут иметь место следующие уравнения.

[pic] (1.68)

Каждое из приведенных уравнений является частным случаем более общего уравнения (1.66) и используется для анализа процессов в полупроводниковых материалах и приборах именно для частных случаев, что значительно упрощает поиск возможного решения. Решение уравнения (1.66) достаточно в общем виде весьма сложно и, если это требуется по условиям задачи, то обычно выполняется численными методами с использованием соответствующих компьютерных программ.

Аналогично для n типа n>>p Для p соответственно будут иметь место следующие уравнения:

[pic] (1.69)

-------------------->

Скачали данный реферат: Karsakov, Папенин, Задорожный, Nustrov, Корнелий, Алексина, Феодота, Agafoklija.
Последние просмотренные рефераты на тему: сочинение рассказ, конспект, реферат по физкультуре, тесты для девочек.





Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12