Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

Оборудование. 12
Алгоритм программы разбраковки. 12

СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО 15

ВВОДНАЯ ЧАСТЬ 15

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ К425НК1 16

ОПЕРАЦИЯ
НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ 18

Подготовка рабочего места. 18
Организация трудового процесса. 18
Технологический процесс. 18
Требования безопасности. 19
Дополнительные указания. 19

ЛИТЕРАТУРА 21
КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО

ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМ

В ходе практики была проведена экскурсия в цехе кристального производства, в ходе которой ознакомились со следующими участками:
. Участок чистой химии;
. Участок нанесения фоторезиста;
. Участок фотокопии;
. Участок технохимии;
. Участок плазмохимического травления;
. Участок диффузии;
. Участок ионного легирования;
. Участок нанесения диэлектрических пленок;
. Участок напыления;
. Участок контроля электрофизических параметров;
. Участок испытаний.

ВВОДНАЯ ЧАСТЬ

Микросхема 564ИЕ10

Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика.
Триггеры каждого из них устанавливаются в исходное состояние (нулевое) при подаче уровня 1 на вход R. Триггеры счетчиков 564ИЕ10 переключаются в момент спада импульсов положительной полярности на входе СР при уровне 0 на входе CN. Возможна подача импульсов отрицательной полярности на вход CN при уровне 1 на входе СР. Таким образом, входы CP и CN объединены логической функцией И. При соединении микросхем 564ИЕ10 в многоразрядный счетчик с последовательным переносом выводы 8 подключаются к входам СР следующих, а на входы CN подают уровень 0.
На счетчике 564ИЕ10 можно собрать делитель частоты с коэффициентом деления от 2 до 15.

Рис. 1. Графическое изображение МС 564ЕИ10 Рис. 2. Временная диаграмма работы счетчика 564ИЕ10

[pic]

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА 564ИЕ10

1. Формирование партии пластин.
2. Гидромеханическая отмывка пластин.
3. Химическая обработка.

Смесь Каро (H2SO4+H2O2), перикисьно-амиачная смесь. Оборудование— линия “Лада 125”.
4. Окисление 1.

Установки СДОМ, АДС. Температура 1000ОС. О2+пар.
5. Фотолитография.

Формирование области р-кармана.

5.1. Нанесение фоторезиста.

Фоторезист — ФП383.

Установка ХБС.

5.2. Совмещение экспонирования пластин ЭМ — 576А.

5.3. Проявление фоторезиста.

Проявитель — едкий калий.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: банк курсовых работ бесплатно, сочинения по русскому языку, реферат на тему безопасность.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата