Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

5.4. Дубление фоторезиста.

Установки “Лада”.

5.5. Травление окисной пленки.

Буферный травитель.

5.6. Контроль.
6. Ионное легирование.

Бор 1. “Карман”. Установка “Лада 30”.
7. Снятие фоторезиста.

7.1. Плазма. Установка “08 ПХО 100Т-001”

7.2. Смесь Каро.
8. Химическая обработка.
9. Разгонка бора. “Карман”.

Температура 1200ОС. О2+азот.
10. Вторая фотолитография.

Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р+- охраны.
11. Ионное легирование.

Бор 2 . Сток- исток. Установка “Везувий-3М”.
12. Снятие фоторезиста.

Плазма и смесь Каро.
13. Химическая обработка.
14. Разгонка бора. Сток- исток.

Температура 1000ОС, О2+пар.
15. Третья фотолитография.

Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n+- охраны.
16. Химическая обработка.
17. Загонка фосфора (диффузионный метод).

Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.
18. Снятие фосфорселикатного стекла.

HF : H2O =1 :10.
19. Разгонка фосфора.

Температура 1000ОС. О2+пар.

20. 4Я фотолитография.

Вскрытие областей под затвор и контактные окна.
21. Окисление 2 — подзатворный диэлектрик.

Температура 1000ОС. О2+HCl.
22. Стабилизация фосфора.

Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.
23. Подлегирование.
24. Отжиг подзатворного диэлектрика.
25. 5Я фотолитография.

Вскрытие контактных окон.
26. Химическая обработка.
27. Напыление Al+Si.

Установка “Магна 2М”.
28. 6Я фотолитография.

Формирование алюминиевой разводки.
29. Вжигание алюминия.

Температура 475ОС в азоте.
30. Нанесение защитного окисла.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: банк курсовых работ бесплатно, сочинения по русскому языку, реферат на тему безопасность.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата