Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: сочинения по картинам, диплом работа
| Добавил(а) на сайт: Lapunov.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
Биполярный транзистор состоит из двух взаимодействующих p-n перехода, созданных в объёме монокристалла кремния или германия. В зависимости от характера примесей в этих областях принято различать транзисторы типа p-n-p и n-p-n.
Модель Эберса - Молла применима при моделировании по постоянному току.
Э
[pic] Uэк
Б
К
Рис. 1. Биполярный транзистор
[pic]
[pic] эмиттер
DBE. [pic]
[pic]
RБ. [pic]
CCS
[pic]
[pic] база
DBC.
RC П - подложка
[pic]
[pic] коллектор
[pic]
Рис. 2. Модель Эберса – Молла.
1) расчёт температурного потенциала.
[pic];
[pic] [pic] - постоянная Больцмана;
[pic] Кл - элементарный заряд.
T - текущая температура в Кельвинах.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые, проблема реферат, реферат сила.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата