Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

2) расчёт тока насыщения, зависящего от температуры и напряжения между эмиттером и коллектором.

[pic] iso - ток насыщения при TNOM;

VA – напряжение Эрли;

EG – ширина запрещённой зоны;

TNOM – номинальная температура в Кельвинах.

3) определения величины IС и UС - ток и напряжение на диоде при переходе на линейный участок.

[pic]; [pic];

RJ – минимальное дифференциальное сопротивление перехода;

4) перевод температурного коэффициента в систему С.

TCB (в системе С) = TCB*10-6 (в PPM) .

5) поправка коэффициентов передачи по току в схеме с ОЭ на температуру.

BF (исправленное) = BF * (1 + (T-TNOM) * TCB;

BR (исправленное) = BR * (1 + (T-TNOM) * TCB.

BF – коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ для нормального включения.

BR – коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ для инверсного включения.

6) Математическое описание зависимости тока диода DBE от напряжения на нем.

[pic] при [pic];

[pic] при [pic];

д) Математическое описание зависимости тока диода DBC от напряжения на нем.

[pic] при [pic];

[pic]при [pic];

e) математическое описание управляемого источника тока.

[pic]. ж) расчёт токов коллектора и эмиттера; ik = iу - iкб ; iэ = iу + iэб ;

и) расчёт барьерной емкости перехода ЭБ;.

[pic] при [pic];

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые, проблема реферат, реферат сила.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата