Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: сочинения по картинам, диплом работа
| Добавил(а) на сайт: Lapunov.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
RB,RC,RJ,
T, TNOM, TCB,
Kyf,a,BF, BR, EG, TAUF, TAUR, MJC, MJE, CCS, K, FIt, q,expon:
extended; ii,col,row:integer; { extended 3.4e-
4932..1.1e4932} an,key:char;
function st(a:extended; b:extended):extended; begin if b 1.1356523e4 then begin st:=1e4000; end
else begin st:=exp((b) * ln(a)); end; end; end;
Procedure Model(Ueb,Ucb:extended;var Ieb,Icb,Ib,Iy:extended);
Begin
If Ueb > Uc then Ieb := 1 / BF * (Ic+ (Ueb - Uc) / RJ ) else Ieb :=1 / BF * Is * (st(expon,Ueb / FIt) -1);
If Ucb > Uc then Icb:= 1/BR * (Ic + (Ucb-Uc)/RJ) else Icb:= 1/BR * Is* (st(expon, Ucb/FIt)-1);
Ib:= Ieb + Icb;
Iy:= Ieb*BF - Icb*BR; end;
procedure InputTrans;
Label 1,2,3;
begin clrscr;
BF:=75;
BR:= 0.3;
TCB:=2500;
Is0:=3.5e-15;
EG:=1.11;
CJC0:=4e-12;
CJE0:=1.2e-12;
RB:=67;
RC:=7.3;
VA:=102;
TAUF:=9.4e-11;
TAUR:=6.692e-8;
MJC:=0.33;
VJC:=0.65;
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые, проблема реферат, реферат сила.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата