Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: сочинения по картинам, диплом работа
| Добавил(а) на сайт: Lapunov.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
[pic] при [pic];
CJEO – барьерная емкость перехода ЭБ при нулевом смещении;
VJE – контактная разность потенциалов для переходов ЭБ;
MJE – показатель степени в выражении для барьерной емкости.
к) расчёт диффузионной емкости перехода ЭБ.
[pic] при [pic]>0;
TAUF – среднее время пролета носителей через базу в нормальном режиме.
л) расчёт емкости CBE.
CBE = CJE+CDE;
м) расчёт барьерной емкости перехода КБ.
[pic] при [pic];
[pic]при [pic];
CJCO – барьерная емкость перехода КБ при нулевом смещении;
VJC – контактная разность для переходов КБ;
MJC – показатель степени в выражении для барьерной емкости. н) расчёт диффузионной емкости перехода КБ.
[pic] при [pic]>0;
CDC = 0 при [pic]0;
TAUR – среднее время пролета носителей через базу в инверсном режиме.
о) расчёт емкости CBC.
CBC= CJC+CDC;
Описание программы
Program bipolar;
uses {wincrt,windos}crt,dos,graph;
Label 1;
var t1,t2,t3,t4,
Uc, Uccs, Ucb, Uec, Ueb, VA, VJC, VJE,
Is0, Is, Ieb, Icb ,Ib ,Ic, Iy,Ik,Ie,
CJC0, CJE0, CBE, CJE, CDE, CBC, CJC, CDC,
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые, проблема реферат, реферат сила.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата