Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: сочинения по картинам, диплом работа
| Добавил(а) на сайт: Lapunov.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата
'Y': goto 3;
'n': goto 2;
'N': goto 2; else begin sound(500); delay(1000); nosound; goto 1; end; end;
2: clrscr; gotoxy(col+25,row+1); write('Input next parameters of transistor');
gotoxy(col+3,row+3); write('[Forward beta] '); gotoxy(col+40,row+3); read(BF); gotoxy(col+39,row+3); write(BF);
gotoxy(col+3,row+4); write('[Revers beta] '); gotoxy(col+40,row+4); read(BR); gotoxy(col+39,row+4); write(BR);
gotoxy(col+3,row+5); write('[Temp. coef. of BETTA (PPM)] '); gotoxy(col+40,row+5); read(TCB); gotoxy(col+39,row+5); write(TCB);
gotoxy(col+3,row+6); write('[Saturation Current] '); gotoxy(col+40,row+6); read(Is0); gotoxy(col+39,row+6); write(Is0);
gotoxy(col+3,row+7); write('[Energy gap (0.6 to 1.3)] '); gotoxy(col+40,row+7); read(EG); gotoxy(col+39,row+7); write(EG);
gotoxy(col+3,row+8); write('[CJC0] '); gotoxy(col+40,row+8); read(CJC0); gotoxy(col+39,row+8); write(CJC0);
gotoxy(col+3,row+9); write('[CJE0] '); gotoxy(col+40,row+9); read(CJE0); gotoxy(col+39,row+9); write(CJE0);
gotoxy(col+3,row+10); write('[Base resistance] '); gotoxy(col+40,row+10); read(RB); gotoxy(col+39,row+10); write(RB);
gotoxy(col+3,row+11); write('[Collector resistance] '); gotoxy(col+40,row+11); read(RC); gotoxy(col+39,row+11); write(RC);
gotoxy(col+3,row+12); write('[Early Valtage] '); gotoxy(col+40,row+12); read(VA); gotoxy(col+39,row+12); write(VA);
gotoxy(col+3,row+13); write('[TAU forward] '); gotoxy(col+40,row+13); read(TAUF); gotoxy(col+39,row+13); write(TAUF);
gotoxy(col+3,row+14); write('[TAU reverse] '); gotoxy(col+40,row+14); read(TAUR); gotoxy(col+39,row+14); write(TAUR);
gotoxy(col+3,row+15); write('[MJC] '); gotoxy(col+40,row+15); read(MJC); gotoxy(col+39,row+15); write(MJC);
gotoxy(col+3,row+16); write('[VJC] '); gotoxy(col+40,row+16); read(VJC); gotoxy(col+39,row+16); write(VJC);
gotoxy(col+3,row+17); write('[MJE] '); gotoxy(col+40,row+17); read(MJE); gotoxy(col+39,row+17); write(MJE);
gotoxy(col+3,row+18); write('[VJE] '); gotoxy(col+40,row+18); read(VJE); gotoxy(col+39,row+18); write(VJE);
gotoxy(col+3,row+19); write('[CSUB] '); gotoxy(col+40,row+19); read(CCS); gotoxy(col+39,row+19);
write(CCS);
gotoxy(col+3,row+20); write('[Minimum junction resistance] '); gotoxy(col+40,row+20); read(RJ); gotoxy(col+39,row+20); write(RJ); writeln;
1: gotoxy(col+6,row+25); write('Accept parameters of transistor (Y/N) '); an:=readkey; case an of 'y': goto 3;
'Y': goto 3;
'n': goto 2;
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые, проблема реферат, реферат сила.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата
Главная